Павел и Елена Курмей

Один из самых мощных транзисторов в мире — MRF1K50H от NXP Semiconductors. Это LDMOS-устройство, способное выдавать 1500 Вт мощности в диапазоне частот от 1.8 до 500 МГц при напряжении питания 50 В. Оно предназначено для замены электровакуумных приборов в промышленных системах, таких как CO2 -лазеры, плазменные источники и радиолокационные установки. Транзистор демонстрирует КПД до 84% и выдерживает экстремальные условия, включая температуру перехода до 225°C, с прогнозируемым сроком службы до 450 лет в нормальном режиме. Для сравнения, советский транзистор ТК265-250, выпускавшийся в Ереване, считался самым мощным в СССР. Его импульсный ток достигал 250 А при напряжении 700 В, что делало его ключевым компонентом в силовой электронике того времени. Мощные транзисторы используют различные технологии: В СССР значимым достижением стали транзисторы серии 2П9120, разработанные НИИЭТ. Например, 2П9120ВС выдавал 1200 Вт на частоте 500 МГц с коэффициентом усиления более 16 дБ. Эти устройства